電気電子工学分野に関連する基礎的な数学を学び，電気回路?電気磁気学?電子回路などの電気の基礎知識を修得し，物理的?数学的考察により，具体的な問題に適用できる能力を養うことを目的とする。この後の「電気数学Ⅱ」，「電気回路Ⅰ」のベースとなる科目である。
行動目標●代入法と加減法および行列式により連立一次方程式を解くことができる。基礎関数の計算方法を理解し，基礎的な計算および応用問題が解ける。複素数の計算方法を理解し，基礎的な計算および応用問題が解ける。

電気電子工学分野に関連する基礎的な数学を学び、電気回路?電気磁気学?電子回路などの電気の基礎知識を修得し、物理的?数学的考察により、具体的な問題に適用できる能力を養うことを目的とする。この後の「電気磁気学Ⅰ」のベースとなる科目である。
行動目標●ベクトル、微分、積分の計算方法を理解し、基礎的な計算および応用問題が解ける。

本科目は電気電子基礎科目群の根幹をなす重要な基礎科目であり、電気回路に関する基礎知識を修得し、その物理的?数学的考察によって、電気回路の特性解析および設計を行うことができる能力を養う。具体的には、抵抗(R)のみの回路が直流電源に接続された電気回路について学習する。特に、オームの法則とキルヒホッフの法則による回路網方程式の立て方やその解法について重点的に学習する。さらに、直流回路理論におけるいくつかの重要な定理についても学習する。
行動目標●直流回路におけるオームの法則とキルヒホッフの法則を説明できる。直流回路網に対する方程式を立て、それを解くことができる。直流回路における最大電力条件を計算できる。直流回路における重ね合わせの理やテブナンの定理を説明できる。また、これらの定理を用いて直流回路の計算ができる。

本科目は電気電子基礎科目群の根幹をなす重要な基礎科目であり、電気回路に関する基礎知識を修得し、その物理的?数学的考察によって、電気回路の特性解析および設計を行うことができる能力を養う。具体的には、抵抗(R)、インダクタンス(L)、静電容量(C)およびそれらの組み合わせからなる回路が交流電源に接続された電気回路の基礎について学習する。特に、正弦波電圧が作用するときの回路方程式の立て方とその解法について学習する。さらに、正弦波交流のフェーザ表示についても学習する。
行動目標●正弦波交流の波形が描けるとともにその説明ができる。Ｒ，Ｌ，Ｃからなる交流回路の回路方程式を立てることができる。正弦波交流の平均値や実効値の計算ができる。正弦波交流のフェーザ表示ができる。

本科目では電気回路における交流に関する基礎知識を修得し、物理的?数学的考察により交流回路の解析ができる能力を養う。「電気回路Ⅰ」の復習となる抵抗（R）、インダクタンス（L）あるいは静電容量（C）の基本回路から、それらを組み合わせたやや複雑な応用回路までを扱う。交流回路の解析はフェーザと複素数を用いたいわゆる記号法を用いておこなわれる。ここでは記号法による回路解析手法を修得するとともに、後続の「電気回路Ⅲ」で必要となる高度な解析手法の基礎を身につける。
行動目標●記号法によりＲ―Ｌ、Ｒ―ＣあるいはＲ―Ｌ―Ｃ直列回路や並列回路の回路方程式を立て、回路解析ができる。記号法で直?並列回路の位相条件問題や交流電力の基本的な問題を解くことができる。記号法を用いて直列共振回路や並列共振回路の問題を解くことができる。記号法を用いて電力の問題を解くことができる。

エレクトロニクス、情報?通信、電力?エネルギーの分野に幅広く利用されている半導体の基礎知識を修得し、物理的?数学的考察により、具体的な問題に適用できる能力を養う。具体的には、ダイオードやバイポーラ形および電界効果形トランジスタの構造、動作特性に関する基本事項、および種々の機器?システムにおけるこれらのデバイスの役割等を学習する。本科目は、後に開講される「半導体工学基礎」を学習する際のベースとなる。また次年度開講の「電子回路Ⅰ」の理解にもつながる。
行動目標●前期量子論の概念や半導体材料の基本的性質が説明できる。ｐｎ接合ダイオードの構造、動作特性、応用例に関する基本的内容が説明できる。バイポーラトランジスタの構造、動作特性、応用例に関する基本的内容が説明できる。ＭＯＳＦＥＴの構造、動作特性、応用例に関する基本的内容が説明できる。