記事詳細

中田賢吾さんが「International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)」で学会発表

中田賢吾さんが「International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)」で学会発表を行いました。

発表者:中田賢吾さん(井田研究室、大学院電気電子工学専攻博士前期課程2年)

発表タイトル:Neural Network Modeling of Steep Turn-on Diodes:Validation and Implementation in SPICE Simulations

発表年月日:2023/11/17

KIT金沢工業大学

  • Hi-Service Japan 300
  • JIHEE
  • JUAA
  • SDGs

KIT(ケイアイティ)は金沢工業大学のブランドネームです。

Copyright © Kanazawa Institute of Technology. All Rights Reserved.