中田賢吾さんが「International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai」で学会発表

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2022.12.19

中田賢吾さんが「International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai」で学会発表を行いました。

発表者：中田賢吾さん（井田研究室、大学院電気電子工学専攻博士前期課程1年）

発表タイトル：Modeling of Super Steep Subthreshold Slope Device by using Neural Network

発表年月日：2022/11/30

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