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矢吹亘さん（井田研究室）が国際学会「IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S 2019)」で学会発表
大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻2年の矢吹亘さんが10月14～17日に開催された国際学会「IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S 2019)」で学会発表を行いました。
発表者：矢吹亘さん（井田研究室）
発表タイトル：Effect of Vsub and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS “PN Body-Tied SOI-FET” and Proposal of CMOS without Vsub Bias
