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中田研究室の高久佳雅さんが国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019」で学会発表

大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻1年の高久佳雅さんが9月29日(火)~10月4日(金)に開催された国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019」で学会発表を行いました。

発表者:高久佳雅さん(中田研究室)

発表タイトル:Inrush Current Effects on SiC-MOSFETs for LLC Converter

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