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山口研究室の藤田貴志さんが国際学会「2019 International Conference on Solid State Devices and Materials」で学会発表

大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻2年の藤田貴志さんが9月2日(月)~5日(木)に開催された国際学会「2019 International Conference on Solid State Devices and Materials」で学会発表を行いました。

発表者:藤田貴志さん(山口研究室)

発表タイトル:Experimental Studies and Model Analysis on Potential Fluctuations in InGaN Quantum-Well Layers

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