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山口研究室の森恵人さんが国際学会「13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019」で学会発表
大学院工学研究科電気電子工学専攻1年の森恵人さんが7月7日（日）～12日（金）に開催された国際学会「13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019」で学会発表を行いました。
発表者：森恵人さん（山口研究室）
発表タイトル：Measurements of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Spectroscopy
