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井田研究室の矢吹亘さんと山田拓弥さんが「電子情報通信学会 シリコン材料?デバイス研究会」で学会発表
大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻2年の矢吹亘さんと山田拓弥さんが8月7日(水)～8月9日(金)に開催された「電子情報通信学会 シリコン材料?デバイス研究会」で学会発表を行いました。
発表者：矢吹亘さん（井田研究室）
発表タイトル：急峻なSSを持つ“PN-Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響
発表者：山田拓弥さん（井田研究室）
発表タイトル：極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ
