電気電子工学科 ニュース
中田賢吾さんが「International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai」で学会発表
中田賢吾さんが「International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai」で学会発表を行いました。
発表者：中田賢吾さん（井田研究室、大学院電気電子工学専攻博士前期課程1年）
発表タイトル：Modeling of Super Steep Subthreshold Slope Device by using Neural Network
発表年月日：2022/11/30